收藏本站
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFR18N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
900V
10.5A
660m Ω
300ns
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS247 TM
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
900
900
V
V
E153432
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
Isolated Tab
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
10.5
36
A
A
G = Gate
S = Source
D
= Drain
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
9
800
A
mJ
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
Maximum Lead Temperature for Soldering
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting force
15
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
20..120/4.5..27
5
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb.
g
Fearures
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
2500V ~ Electrical Isolation
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
DC-DC Converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
Leaser Drivers
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
900
V
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 100
V
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 9A, Note 1
T J = 125 ° C
25 μ A
1.5 mA
660 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100058A(03/11)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFR200N10P MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
IXFR20N100P MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
IXFR20N120P MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
IXFR20N80P MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
IXFR21N100Q MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
IXFR230N20T MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
IXFR24N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFR24N100 MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXFR200N10P 功能描述:MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR200N10P_06 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFR20N100P 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR20N120P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR20N80P 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR21N100Q 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR21N100Q_03 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR230N20T 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube